Samsung 10nm 8Gb DDR4 DRAM üretimine geçti

Güney Koreli teknoloji devi Samsung, endüstrinin ilk 10nm sınıfı, 8 Gb DDR4 DRAM çiplerinin seri üretimine geçtiklerini paylaştı.

Böylece seri üretim anlamında önemli bir dönüm noktası başaran şirket artık bu çipler üzerinden hafıza modüllerini üretimini gerçekleştirecek. 20nm sınıfına göre 3,200Mbps’ye varan artırılmış veri oranları ve yüzde 10-20 güç verimliliği olanağı sunan çipler tüketicileri oldukça memnun edecek.

Yeni DRAM 20 nm DDR4 DRAM 2,400Mbps oranından daha fazla yüzde 30 daha hızlı olan saniyede 3.200 megabit (Mbps), bir veri aktarım hızını destekler. Ayrıca, 10nm-class DRAM yongaları üretilen yeni modüller nesil, yüksek performanslı bilgi işlem (HPC) sistemlerinin tasarım verimliliğini artırmak ve olacak onların 20nm süreç tabanlı eşdeğeri ile karşılaştırıldığında, yüzde 10 ila 20 daha az güç tüketir diğer büyük kurumsal ağların yanı sıra bilgisayar ve ana sunucu piyasaları için kullanılır.

Nisan 6, 2016, 10:23 Tarihinde Yayınlandı
M.Yahya YAZAR

M.Yahya

Toplam 0 Yorum

Yorum Bırak